梁骏吾（1933年9月18日~2022年6月23日），1933年9月18日出生于湖北省武汉市。中国工程院院士，中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师^[5] ，我国著名半导体材料学家、我国早期半导体硅材料的奠基人。

1955年从武汉大学物理专业毕业；1956年至1960年就读于前苏联科学院莫斯科巴依可夫冶金研究所；1960年毕业并获得副博士学位，之后回国担任中国科学院半导体研究所副室主任、助理研究员；1970年至1978年担任湖北宜昌半导体厂助理研究员；1978年晋升为中国科学院半导体研究所研究员；1997年当选为中国工程院院士。

梁骏吾先后从事高纯区熔硅单晶、砷化镓液相外延、硅气相外延、SiO2隔离膜生长和多晶硅生长的研究，大规模集成电路用硅单晶、掺氮中子嬗变硅单晶、超高速电路用外延技术、MOCVD AlGaAs/GaAs量子阱材料及半导体中杂质与缺陷的行为，SiC外延生长和GaN基材料的生长。

2022年6月23日，梁骏吾因病医治无效在北京逝世，享年89岁。

梁骏吾-中国工程院院士、半导体材料学家